РАГС - РОССИЙСКИЙ АРХИВ ГОСУДАРСТВЕННЫХ СТАНДАРТОВ,
а также строительных норм и правил (СНиП)
и образцов юридических документов







Каталог государственных стандартов РФ

Актуальность базы: 01.01.2024, объем: 49,841 документа(ов)

Для отображения списка документов выберите категорию из классификатора каталога ГОСТов.
Чтобы отобразить подкатегории классификатора, кликните по иконке со знаком плюс
и дождитесь подгрузки подкатегорий в нижней части экрана.
Если наименование ГОСТа заранее известно, можете воспользоваться формой поиска ниже.
Полный перечень ГОСТ в базе (алфавитный порядок)

Классификатор каталога

Поиск: Где искать:
Отображать: Упорядочить:
везде в текущем разделе
Номер Название Дата введения Статус
136 ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь 01.07.1989 действующий
 
Англ. название: Semiconductor microwave switching and limiter diodes. Methods of measuring loss resistances
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц: 1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов; 2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов: а) метод измерительной линии с подвижным зондом; б) метод измерительной линии с фиксированным зондом; в) резонаторный метод
Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.10-75;ГОСТ 19656.11-75ГОСТ 18986.4-73;ГОСТ 19656.0-74
137 ГОСТ 19656.12-76 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления 01.07.1977 действующий
 
Англ. название: Semicondactor UHF mixer diodes. Measurement method of input impedance
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на смесительные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения полного входного сопротивления
Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 19656.1-74
138 ГОСТ 19656.13-76 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Методы измерения тангенциальной чувствительности 01.01.1979 действующий
 
Англ. название: Semiconductor UHF detector diodes. Measurement methods of tangential sensitivity
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые СВЧ детекторные диоды и устанавливает два метода измерения тангенциальной чувствительности: прямой и косвенный
Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.14-85;ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 19656.5-74;ГОСТ 19656.7-74
139 ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты 01.01.1981 действующий
 
Англ. название: Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты
Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74;ГОСТ 18986.4-73;ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 19656.11-75
140 ГОСТ 19656.15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления 01.01.1986 действующий
 
Англ. название: Semiconductor UHF diodes. Measurement methods of thermal resistance and pulse thermal resistance
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ и устанавливает методы измерения тепловых сопротивлений
Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.0-74
141 ГОСТ 19656.16-86 Диоды полупроводниковые СВЧ ограничительные. Метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей 01.07.1987 действующий
 
Англ. название: Semiconductor microwave limiter diodes. Measurement method of break-down and leakage powers
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые ограничительные СВЧ диоды и устанавливает метод измерения пороговой и просачивающейся мощностей в непрерывном режиме
Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.0-74;ГОСТ 23769-79
142 ГОСТ 19748.2-74 Трубки электронно-лучевые функциональные. Методы измерения основных параметров 01.01.1976 действующий
 
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на функциональные электронно-лучевые трубки с электростатическим отклонением и фокусировкой луча, предназначенные для получения функции двух аргументов Z=f (x, y), и устанавливает методы измерения следующих основных параметров: тока коллектора, соответствующего максимальному значению функции; средней погрешности воспроизведения функции по зонам рабочего поля функции; максимальной погрешности воспроизведения функции по зонам рабочего поля функции
Нормативные ссылки: ГОСТ 17791-82;ГОСТ 27810-88
143 ГОСТ 19785-74 Трубки электронно-лучевые осциллографические. Методы измерения основных параметров 01.07.1975 заменён
 
Англ. название: Oscillographic electron-beam tubes. Methods for measurement of basic parameters
Нормативные ссылки: ГОСТ 19785-88ГОСТ 19438.2-74;ГОСТ 12491-67;ГОСТ 11093-64;ГОСТ 8711-78;ГОСТ 13088-67;ГОСТ 597-73;ГОСТ 2388-70;ГОСТ 15856-78;ГОСТ 7324-68
144 ГОСТ 19785-88 Трубки электронно-лучевые приемные. Методы измерения и контроля параметров 01.01.1989 действующий
 
Англ. название: Cathode-ray tubes for reception. Methods for measurement and control of parameters
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на приемные электронно-лучевые трубки следующих видов: осциллографические, индикаторные, фоторегистрирующие, просвечивающие, проекционные катодолюминесцентные, монохромные и цветные кинескопы, в том числе телевизионные и дисплейные (трубки). Стандарт не распространяется на сверхвысокочастотные осциллографические трубки, разработанные до 01.07.89, а также на приемные трубки производственно-технического назначения и широкого применения следующих видов: кинескопы черно-белого изображения; масочные трехпрожекторные кинескопы цветного изображения. Для измерения параметров монохромных и цветных дисплейный кинескопов, разработанных до 01.07.91, допускаются по согласованию с заказчиком (потребителем) применение методов, изложенных в ТУ на трубки
Нормативные ссылки: ГОСТ 19785-74СТ СЭВ 1353-78;СТ СЭВ 1619-79;СТ СЭВ 1620-79;СТ СЭВ 2750-80;СТ СЭВ 2751-80;СТ СЭВ 3987-83IEC 60151-0(1966);IEC 60151-1(1966);IEC 60151-14(1975);IEC 60151-16(1968);IEC 60151-28(1978);IEC 60151-24(1971);IEC 60100(1962);ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 427-75;ГОСТ 5072-79;ГОСТ 7324-80;ГОСТ 7721-89;ГОСТ 7845-79;ГОСТ 9021-88;ГОСТ 14872-82;ГОСТ 17616-82;ГОСТ 18720-90;ГОСТ 19748.0-74;ГОСТ 19748.4-74;ГОСТ 20466-75;ГОСТ 25706-83
145 ГОСТ 19799-74 Микросхемы интегральные аналоговые. Методы измерения электрических параметров и определения характеристик 01.01.1976 действующий
 
Англ. название: Analog integrated circuits. Methods for measurement of electric parameters and determination of responses
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на интегральные аналоговые микросхемы и устанавливает методы измерения электрических параметров и определения характеристик. Стандарт не распространяется на коммутаторы и ключи, на компараторы напряжения в части методов 1580, 1581, 2500, 2501 и операционные усилители
Нормативные ссылки: ГОСТ 30350-96 в части общих требований к аппаратуреГОСТ 19480-89;ГОСТ 30350-96;СТ СЭВ 1622-79;СТ СЭВ 3411-81
146 ГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров 01.07.1976 действующий
 
Англ. название: Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей
Нормативные ссылки: ГОСТ 8.023-86;ГОСТ 12.0.004-79;ГОСТ 12.1.004-85;ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 10863-70;ГОСТ 18986.1-73;ГОСТ 18986.2-73;ГОСТ 18986.3-73
147 ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости 01.01.1976 действующий
 
Англ. название: Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;метод замещения;методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный
Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82ГОСТ 19834.0-75
148 ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения 01.07.1977 действующий
 
Англ. название: Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения
Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82ГОСТ 8.023-86;ГОСТ 19834.0-75;МИ 1685-87
149 ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения 01.07.1981 действующий
 
Англ. название: Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения
Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82ГОСТ 9411-91;ГОСТ 17616-82;ГОСТ 19834.0-75
150 ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения 01.01.1982 действующий
 
Англ. название: Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении
Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82ГОСТ 19834.0-75

Вернуться в "Каталог государственных стандартов" (ГОСТ)