РАГС - РОССИЙСКИЙ АРХИВ ГОСУДАРСТВЕННЫХ СТАНДАРТОВ,
а также строительных норм и правил (СНиП)
и образцов юридических документов




Каталог государственных стандартов РФ

Актуальность базы: 10.10.2019, объем: 44,047 документа(ов)

Для отображения списка документов выберите категорию из классификатора каталога ГОСТов.
Чтобы отобразить подкатегории классификатора, кликните по иконке со знаком плюс
и дождитесь подгрузки подкатегорий в нижней части экрана.
Если наименование ГОСТа заранее известно, можете воспользоваться формой поиска ниже.
Полный перечень ГОСТ в базе (алфавитный порядок)

Классификатор каталога

Поиск: Где искать:
Отображать: Упорядочить:
везде в текущем разделе
Номер Название Дата введения Статус
1 ГОСТ 2.730-73 Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые 30.06.1974 действующий
 
Англ. название: Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности
Нормативные ссылки: ГОСТ 2.730-68ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы
2 ГОСТ 4.137-85 Система показателей качества продукции. Приборы полупроводниковые силовые. Номенклатура показателей 01.01.1987 действующий
 
Англ. название: Product-quality index system. Power semiconductor devices. Nomenclature of indices
Область применения: Стандарт устанавливает номенклатуру показателей качества силовых полупроводниковых приборов, включаемых в стандарты с перспективными требованиями, технические задания на опытно-конструкторские работы (ТЗ на ОКР), технические условия (ТУ), карты технического уровня и качества продукции (КУ), разрабатываемые и пересматриваемые стандарты на продукцию
3 ГОСТ 11630-84 Приборы полупроводниковые. Общие технические условия 30.06.1985 действующий
 
Англ. название: Semiconductor devices. General specification
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы, излучающие диоды и оптопары производственно-технического назначения и народного потребления, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта
Нормативные ссылки: ГОСТ 11630-70
4 ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения 30.06.1978 утратил силу в РФ
 
Англ. название: Semiconductor devices. Terms and definitions
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых приборов.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности
Нормативные ссылки: ГОСТ 15133-69
5 ГОСТ 17704-72 Приборы полупроводниковые. Приемники лучистой энергии фотоэлектрические. Классификация и система обозначений 30.06.1973 действующий
 
Англ. название: Semiconductor devices. Photoelectric receivers of radiant energy. Classification and system designations
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на неохлаждаемые и охлаждаемые фотоэлектрические полупроводниковые приемники лучистой энергии и устанавливает классификацию и систему единого обозначения фоторезисторов, фотомагнитных приемников, фотоприемников с p-n переходами с внутренним усилением и без внутреннего усиления
6 ГОСТ 17772-88 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик 30.06.1989 действующий
 
Англ. название: Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Methods of measuring photoelectric parameters and determining characteristics
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на фотоэлектрические полупроводниковые приемники излучения (ФЭПП) и фотоприемные устройства (ФПУ) на их основе, чувствительные к излучению в диапазоне длин волн от 0,2 до 100 мкм.
Стандарт не распространяется на ФЭПП и ФПУ, подлежащие аттестации в качестве средств измерений.
Стандарт устанавливает методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик
Нормативные ссылки: ГОСТ 17772-79
7 ГОСТ 18472-88 Приборы полупроводниковые. Основные размеры 30.06.1989 утратил силу в РФ
 
Англ. название: Semiconductor devices. Basic dimensions
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы в корпусах и устанавливает их габаритные и присоединительные размеры.
Стандарт не распространяется на селеновые приборы, термисторы, варисторы, выпрямительные столбы и блоки, диодные и транзисторные наборы, оптоэлектронные приборы
Нормативные ссылки: ГОСТ 18472-82
8 ГОСТ 18577-80 Устойства термоэлектрические полупроводниковые. Термины и определения 30.06.1981 действующий
 
Англ. название: Thermoelectric semiconductor devices. Terms and definitions
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых термоэлектрических устройств.
Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе
Нормативные ссылки: ГОСТ 18577-73
9 ГОСТ 18986.15-75 Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации 01.01.1977 действующий
 
Англ. название: Reference diodes. Method of measuring stabilization voltage
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает метод измерения напряжения стабилизации
Нормативные ссылки: ГОСТ 14093-68
10 ГОСТ 18986.17-73 Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации 30.06.1974 действующий
 
Англ. название: Reference diodes. Method of measuring of temperature coefficient of working voltage
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации
11 ГОСТ 18986.20-77 Стабилитроны полупроводниковые прецизионные. Метод измерения времени выхода на режим 01.01.1979 действующий
 
Англ. название: Semiconductor diodes. Reference zener diodes. Method for measuring warm up time
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые прецизионные стабилитроны, имеющие нормированную временную нестабильность напряжения стабилизации и устанавливает метод измерения времени выхода стабилитронов на режим tвых. и требования безопасности
12 ГОСТ 18986.21-78 Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации 01.01.1980 действующий
 
Англ. название: Reference diodes and stabistors. Method for measuring time drift of working voltage
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и стабисторы и устанавливает метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации
13 ГОСТ 18986.22-78 Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления 01.01.1980 действующий
 
Англ. название: Reference diodes. Methods for measuring differential resistance
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает два метода измерения дифференциального сопротивления: на переменном токе; на постоянном токе
Нормативные ссылки: ГОСТ 15603-70
14 ГОСТ 18986.23-80 Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения спектральной плотности шума 01.01.1982 действующий
 
Англ. название: Zener diodes. Methods for measuring spectral noise density
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает два метода измерения спектральной плотности шума:
метод 1 применяют при измерении спектральной плотности шума стабилитронов с установленной полосой частот измерения в диапазоне 5 Гц - 30 МГц;
метод 2 применяют при измерении спектральной плотности шума прецизионных стабилитронов с установленной полосой частот измерения в диапазоне 0,01-5 Гц
15 ГОСТ 20859.1-89 Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования 01.01.1990 действующий
 
Англ. название: Power semiconductor devices. General technical requirements
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок.
Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие:
1) в средах с токопроводящей пылью;
2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы;
3) во взрывоопасной среде;
4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений
Нормативные ссылки: ГОСТ 20859.1-79ГОСТ 30617-98 в части модулей

Вернуться в "Каталог государственных стандартов" (ГОСТ)