Для отображения списка документов выберите категорию из классификатора каталога ГОСТов.
Чтобы отобразить подкатегории классификатора, кликните по иконке со знаком плюс
и дождитесь подгрузки подкатегорий в нижней части экрана.
Если наименование ГОСТа заранее известно, можете воспользоваться формой поиска ниже. Полный перечень ГОСТ в базе (алфавитный порядок)
Англ. название: Integrated circuits. Filters. Parameters system
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые интегральные микросхемы – фильтры (далее – фильтры) и устанавливает состав параметров и типовых характеристик, подлежащих включению в технические условия (ТУ) или стандарты на фильтры конкретных типов при их разработке или пересмотре. Настоящий стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний опытных образцов. Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации фильтров в соответствии с действующим законодательством
Англ. название: Bipolar transistors. Parameters system
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые биполярные транзисторы (далее – транзисторы) и устанавливает состав параметров и типовых характеристик транзисторов, подлежащих включению в общие технические условия и технические условия (ТУ) при их разработке или пересмотре. Настоящий стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий (ТЗ) на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы (ОКР), программ испытаний опытных образцов. Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации транзисторов в соответствии с действующим законодательством
Англ. название: Field effect transistor. Parameters system
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полевые транзисторы (далее – транзисторы). Стандарт устанавливает состав параметров и типовых характеристик транзисторов, подлежащие включению в общие технические условия и технические условия (ТУ) при их разработке или пересмотре. Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий (ТЗ) на научно-исследовательские (НИР) и опытно-конструкторские работы (ОКР), программ испытаний опытных образцов
Англ. название: Semiconductor emitters. Parameters system
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые излучатели инфракрасного диапазона излучения (далее – излучатели) и устанавливает состав параметров и типовых характеристик, подлежащих включению в технические условия (ТУ) или стандарты на излучатели конкретных типов при их разработке или пересмотре. Настоящий стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий (ТЗ) на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний опытных образцов