РАГС - РОССИЙСКИЙ АРХИВ ГОСУДАРСТВЕННЫХ СТАНДАРТОВ,
а также строительных норм и правил (СНиП)
и образцов юридических документов










Каталог государственных стандартов РФ

Актуальность базы: 01.06.2021, объем: 45,813 документа(ов)

Для отображения списка документов выберите категорию из классификатора каталога ГОСТов.
Чтобы отобразить подкатегории классификатора, кликните по иконке со знаком плюс
и дождитесь подгрузки подкатегорий в нижней части экрана.
Если наименование ГОСТа заранее известно, можете воспользоваться формой поиска ниже.
Полный перечень ГОСТ в базе (алфавитный порядок)

Классификатор каталога

Поиск: Где искать:
Отображать: Упорядочить:
везде в текущем разделе
Номер Название Дата введения Статус
1 ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры 01.01.1982 действующий
 
Англ. название: Semiconductor diodes. Basic parameters
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды, выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (стабисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки)
Нормативные ссылки: ГОСТ 16963-71ГОСТ 17465-72 в части пп. 1 - 12, 16 - 22ГОСТ 16962-71
2 ГОСТ 18986.14-85 Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений 01.07.1986 действующий
 
Англ. название: Semiconductor diodes. Methods for measuring differential and slope resistances
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает следующие методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений: метод замещения; резонансный метод с параллельным контуром; резонансный метод с последовательным контуром; мостовой метод. Стандарт не распространяется на стабилитроны
Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.14-75;ГОСТ 19656.8-74CT CЭB 2769-80ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 18986.0-74;ГОСТ 19656.0-74
3 ГОСТ 18986.24-83 Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения 01.07.1984 действующий
 
Англ. название: Semiconductor diodes. Measurement method of breakdown voltage
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения пробивного напряжения
Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74
4 ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь 01.07.1989 действующий
 
Англ. название: Semiconductor microwave switching and limiter diodes. Methods of measuring loss resistances
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц: 1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов; 2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов: а) метод измерительной линии с подвижным зондом; б) метод измерительной линии с фиксированным зондом; в) резонаторный метод
Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.10-75;ГОСТ 19656.11-75ГОСТ 18986.4-73;ГОСТ 19656.0-74
5 ГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров 01.07.1976 действующий
 
Англ. название: Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей
Нормативные ссылки: ГОСТ 8.023-86;ГОСТ 12.0.004-79;ГОСТ 12.1.004-85;ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 12.3.019-80;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 10863-70;ГОСТ 18986.1-73;ГОСТ 18986.2-73;ГОСТ 18986.3-73
6 ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости 01.01.1976 действующий
 
Англ. название: Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;метод замещения;методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный
Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82ГОСТ 19834.0-75
7 ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения 01.07.1977 действующий
 
Англ. название: Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения
Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82ГОСТ 8.023-86;ГОСТ 19834.0-75;МИ 1685-87
8 ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения 01.07.1981 действующий
 
Англ. название: Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения
Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82ГОСТ 9411-91;ГОСТ 17616-82;ГОСТ 19834.0-75
9 ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения 01.01.1982 действующий
 
Англ. название: Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении
Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3788-82ГОСТ 19834.0-75
10 ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры 01.01.1981 действующий
 
Англ. название: Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов
Нормативные ссылки: IEC 60191-2
11 ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры 01.01.1982 действующий
 
Англ. название: Semiconductor photoemitters. Main parameters
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров
Нормативные ссылки: ГОСТ 17465-72 в части пп. 13, 14, 15
12 ГОСТ 24354-80 Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые. Основные размеры 01.01.1982 действующий
 
Англ. название: Semiconductor character displays. Basic dimensions
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы и устанавливает типы корпусов, габаритные и присоединительные размеры индикаторов, высоту знаков и элементов отображения шкальных индикаторов, шаги между знаками, элементами отображения шкальных индикаторов и модулей экрана
Нормативные ссылки: ГОСТ 25066-81
13 ГОСТ 27778-88 Конденсаторы постоянной емкости керамические. Общие технические условия 01.07.1989 действующий
 
Англ. название: Ceramic fixed capacitors. General specification
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на керамические конденсаторы постоянной емкости на номинальное напряжение до 1000 В, а также на незащищенные монолитные (многослойные) безвыводные конденсаторы на номинальное напряжение до 200 В, изготовляемые для нужд народного хозяйства и экспорта. Стандарт не распространяется на помехоподавляющие конденсаторы
Нормативные ссылки: IEC 60384-1(1982);ГОСТ 8.051-81;ГОСТ 9.076-77;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 2519-67;ГОСТ 8273-75;ГОСТ 9661-73;ГОСТ 9665-77;ГОСТ 11076-69;ГОСТ 14192-77;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 21315.1-75;ГОСТ 21315.2-75;ГОСТ 21315.4-75;ГОСТ 21315.5-75
14 ГОСТ 28896-91 Конденсаторы постоянной емкости для электронной аппаратуры. Часть 1. Общие технические условия 01.07.1992 действующий
 
Англ. название: Fixed capacitors for use in electronic equipment. Part 1. General specifications
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на конденсаторы постоянной емкости, предназначенные для использования в электронной аппаратуре
Нормативные ссылки: IEC 60384-1(1982)ГОСТ 2.721-74;ГОСТ 8.417-2002;ГОСТ 1494-77;ГОСТ 18242-72;ГОСТ 27484-87;ГОСТ 28198-89;ГОСТ 28199-89;ГОСТ 28200-89;ГОСТ 28201-89;ГОСТ 28203-89;ГОСТ 28208-89;ГОСТ 28209-89;ГОСТ 28211-89;ГОСТ 28212-89;ГОСТ 28213-89;ГОСТ 28215-89;ГОСТ 28216-89;ГОСТ 28229-89;ГОСТ 28883-90;ГОСТ 28884-90;ГОСТ Р 50779.71-99
15 ГОСТ 29283-92 Полупроводниковые приборы. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 5. Оптоэлектронные приборы 01.01.1993 действующий
 
Англ. название: Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 5. Optoelectronic devices
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает требования к следующим классам или подклассам приборов: полупроводниковые излучатели, включая: оптоэлектронные полупроводниковые приборы отображения информации (на рассмотрении), светоизлучающие диоды (СИД), инфракрасные излучающие диоды (ИК-диоды), полупроводниковые лазеры (на рассмотрении); полупроводниковые фоточувствительные приборы, включая: фотодиоды, фототранзисторы; фототиристоры (на рассмотрении); фотопары, оптопары. Настоящий стандарт разработан методом прямого применения международного стандарта МЭК 747-5-84
Нормативные ссылки: IEC 60747-5(1984)IEC 60068-1(1988)

Вернуться в "Каталог государственных стандартов" (ГОСТ)