РАГС - РОССИЙСКИЙ АРХИВ ГОСУДАРСТВЕННЫХ СТАНДАРТОВ,
а также строительных норм и правил (СНиП)
и образцов юридических документов




Каталог государственных стандартов РФ

Актуальность базы: 10.10.2019, объем: 44,047 документа(ов)

Для отображения списка документов выберите категорию из классификатора каталога ГОСТов.
Чтобы отобразить подкатегории классификатора, кликните по иконке со знаком плюс
и дождитесь подгрузки подкатегорий в нижней части экрана.
Если наименование ГОСТа заранее известно, можете воспользоваться формой поиска ниже.
Полный перечень ГОСТ в базе (алфавитный порядок)

Классификатор каталога

Поиск: Где искать:
Отображать: Упорядочить:
везде в текущем разделе
Номер Название Дата введения Статус
1 ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры 01.01.1982 действующий
 
Англ. название: Semiconductor diodes. Basic parameters
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды, выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (стабисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки)
Нормативные ссылки: ГОСТ 16963-71ГОСТ 17465-72 в части пп. 1 - 12, 16 - 22
2 ГОСТ 18986.14-85 Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений 30.06.1986 действующий
 
Англ. название: Semiconductor diodes. Methods for measuring differential and slope resistances
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает следующие методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений: метод замещения; резонансный метод с параллельным контуром; резонансный метод с последовательным контуром; мостовой метод.
Стандарт не распространяется на стабилитроны
Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.14-75 ГОСТ 19656.8-74
3 ГОСТ 18986.24-83 Диоды полупроводниковые. Метод измерения пробивного напряжения 30.06.1984 действующий
 
Англ. название: Semiconductor diodes. Measurement method of breakdown voltage
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения пробивного напряжения
4 ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивлений потерь 30.06.1989 действующий
 
Англ. название: Semiconductor microwave switching and limiter diodes. Methods of measuring loss resistances
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые переключательные и ограничительные сверхвысокочастотные диоды и устанавливает следующие методы измерения сопротивлений потерь в диапазоне частот 0,3-10 ГГц:
1) сопротивления потерь при низком уровне СВЧ мощности ограничительных СВЧ диодов;
2) прямого сопротивления потерь переключательных и ограничительных СВЧ диодов и обратного сопротивления потерь переключательных СВЧ диодов:
а) метод измерительной линии с подвижным зондом;
б) метод измерительной линии с фиксированным зондом;
в) резонаторный метод
Нормативные ссылки: ГОСТ 19656.10-75 ГОСТ 19656.11-75
5 ГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров 30.06.1976 действующий
 
Англ. название: Semiconductor emitters. Methods for measurement of parameters. General principles
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели и устанавливает положения, общие для стандартов на методы измерений спектрофотометрических, преобразовательных и электрических параметров полупроводниковых излучателей. Стандарт входит в комплекс государственных стандартов на методы измерения параметров полупроводниковых излучателей
6 ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости 01.01.1976 действующий
 
Англ. название: Semiconductor emitters. Methods for measurement of radiant intensity and radiance
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения, в том числе бескорпусные и устанавливает методы измерения силы излучения: метод непосредственной оценки;
метод замещения;
методы измерения энергетической яркости: прямой и косвенный
7 ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения 30.06.1977 действующий
 
Англ. название: Semiconductor emitters. Methods for measuring of relative spectral energy distribution and spectral bandwidth
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые излучатели некогерентного излучения и устанавливает метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения
8 ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения 30.06.1981 действующий
 
Англ. название: Semiconductor radiating infra-red diodes. Methods of measurement of radiation power
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды некогерентного излучения и устанавливает методы измерения мощности излучения от 1 до 5 Вт в диапазоне длин волн 0,7-2,0 мкм: метод непосредственной оценки и метод замещения
9 ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения 01.01.1982 действующий
 
Англ. название: Semiconductor emitting infra-red diodes. Method for measuring of radiation pulse switching times
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды, в том числе бескорпусные, и устанавливает метод измерения временных параметров импульса излучения: времени нарастания, времени спада, времени задержки при включении, времени задержки при выключении
10 ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры 01.01.1981 действующий
 
Англ. название: Semiconductor infra-red emitting diodes. Basic dimensions
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов
11 ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры 01.01.1982 действующий
 
Англ. название: Semiconductor photoemitters. Main parameters
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров
Нормативные ссылки: ГОСТ 17465-72 в части пп. 13, 14, 15
12 ГОСТ 24354-80 Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые. Основные размеры 01.01.1982 действующий
 
Англ. название: Semiconductor character displays. Basic dimensions
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы и устанавливает типы корпусов, габаритные и присоединительные размеры индикаторов, высоту знаков и элементов отображения шкальных индикаторов, шаги между знаками, элементами отображения шкальных индикаторов и модулей экрана
13 ГОСТ 27778-88 Конденсаторы постоянной емкости керамические. Общие технические условия 30.06.1989 действующий
 
Англ. название: Ceramic fixed capacitors. General specification
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на керамические конденсаторы постоянной емкости на номинальное напряжение до 1000 В, а также на незащищенные монолитные (многослойные) безвыводные конденсаторы на номинальное напряжение до 200 В, изготовляемые для нужд народного хозяйства и экспорта.
Стандарт не распространяется на помехоподавляющие конденсаторы
14 ГОСТ 28896-91 Конденсаторы постоянной емкости для электронной аппаратуры. Часть 1. Общие технические условия 30.06.1992 действующий
 
Англ. название: Fixed capacitors for use in electronic equipment. Part 1. General specifications
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на конденсаторы постоянной емкости, предназначенные для использования в электронной аппаратуре
15 ГОСТ 29283-92 Полупроводниковые приборы. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 5. Оптоэлектронные приборы 01.01.1993 действующий
 
Англ. название: Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 5. Optoelectronic devices
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает требования к следующим классам или подклассам приборов: полупроводниковые излучатели, включая: оптоэлектронные полупроводниковые приборы отображения информации (на рассмотрении), светоизлучающие диоды (СИД), инфракрасные излучающие диоды (ИК-диоды), полупроводниковые лазеры (на рассмотрении); полупроводниковые фоточувствительные приборы, включая: фотодиоды, фототранзисторы; фототиристоры (на рассмотрении); фотопары, оптопары.
Настоящий стандарт разработан методом прямого применения международного стандарта МЭК 747-5-84

Вернуться в "Каталог государственных стандартов" (ГОСТ)